Tổng trở vào và tổng trở ra của fet

- Giống như ở BJT, người ta cũng dùng hiệu ứng Early để định nghĩa tổng trở ra của FET (ở vùng bảo hòa, khi V_DS tăng, dòng điện I_D cũng hơi tăng và chùm đặc tuyến ra cũng hội tụ tại một điểm gọi là điện thế Early).

Nếu gọi V_A là điện thế Early ta có:

• 
• r_o như vậy thAy đổi theo dòng thoát I_D và có trị số khoảng vài M đến hơn 10M

- Do JFET thường được dùng theo kiểu hiếm (phân cực nghịch nối cổng - nguồn) nên tổng trở vào lớn (hàng trăm M). Riêng E-MOSFET và DE-MOSFET do cực cổng cách điện hẳn khỏi cực nguồn nên tổng trở vào rất lớn (hàng trăm M). Kết quả là người ta có thể xem gần đúng tổng trở vào của FET là vô hạn.

Với FET : r_π≈ ∞ 

Trong các mạch sử dụng với tín hiệu nhỏ người ta có thể dùng mạch tương đương cho FET như hình (a) hoặc hình (b). Nếu tải không lớn lắm, trong mạch tương đương người ta có thể bỏ cả r_o

_s