Quang diod (photodiode)

Ta biết rằng khi một nối P-N được phân cực thuận thì vùng hiếm hẹp và dòng thuận lớn vì do hạt tải điện đa số (điện tử ở chất bán dẫn loại N và lỗ trống ở chất bán dẫn loại P) di chuyển tạo nên. Khi phân cực nghịch, vùng hiếm rộng và chỉ có dòng điện rỉ nhỏ (dòng bảo hòa nghịch I₀) chạy qua.

Bây giờ ta xem một nối P-N được phân cực nghịch. Thí nghiệm cho thấy khi chiếu sáng ánh sáng vào mối nối (giả sử diod được chế tạo trong suốt), ta thấy dòng điện nghịch tăng lên gần như tỉ lệ với quang thông trong lúc dòng điện thuận không tăng. Hiện tượng này được dùng để chế tạo quang diod.

Khi ánh sáng chiếu vào nối P-N có đủ năng lượng làm phát sinh các cặp điện tử - lỗ trống ở sát hai bên mối nối làm mật độ hạt tải điện thiểu số tăng lên. Các hạt tải điện thiểu số này khuếch tán qua mối nối tạo nên dòng điện đáng kể cộng thêm vào dòng điện bảo hòa nghịch I₀ tự nhiên của diod, thường là dưới vài trăm nA với quang diod Si và dưới vài chục μA với quang diod Ge.

Độ nhạy của quang diod tùy thuộc vào chất bán dẫn là Si, Ge hay Selenium… Hình vẽ sau đây cho thấy độ nhạy đó theo tần số của ánh sáng chiếu vào các chất bán dẫn này:

Đặc tuyến V-I của quang diod với quang thông là thông số cho thấy ở quang thông nhỏ khi điện thế phân cực nghịch nhỏ, dòng điện tăng theo điện thế phân cực, nhưng khi điện thế phân cực lớn hơn vài volt, dòng điện gần như bảo hòa (không đổi khi điện thế phân cực nghịch tăng). khi quang thông lớn, dòng điện thay đổi theo điện thế phân cực nghịch. Tần số hoạt động của quang diod có thể lên đến hành MHz. Quang diod cũng như quang điện trở thường được dùng trong các mạch điều khiển để đóng - mở mạch điện (dẫn điện khi có ánh sáng chiếu vào và ngưng khi tối).