Sơ lược về qui trình chế tạo một IC đơn tinh thể

Các giai đoạn chế tạo một IC đơn tinh thể có thành phần tác động là BJT, được đơn giản hóa gồm các bước sau:

Bước 1:

a. Từ một nền P-Si (hoặc n-Si) đơn tinh thể

b. Tạo một lớp epitaxy mỏng loại N-Si

c. Phủ một lớp cách điện SiO₂

Bước 2:

Dùng phương pháp quang khắc để khử lớp SiO₂ ở một số chỗ nhất định, tạo ra các cửa sổ ở bề mặt tinh thể. Từ các cửa sổ, có thể khuếch tán tạp chất vào.

Đầu tiên, vẽ sơ đồ những nơi cần mở cửa sổ, chụp hình sơ đồ rồi lấy phim âm bản, thu nhỏ lại. Những nơi cần mở của sổ là vùng tối trên phim

a. Bôi một lớp cản quang trên bề mặt. Đặt phim ở trên rọi tia cực tím vào những nơi cần mở cửa sổ được lớp đen trên phim bảo vệ. Nhúng tinh thể vào dung dịch tricloetylen. Chỉ những nơi cần mở cửa sổ lớp cản quang mới bị hòa tan, các nơi khác rắn lại.

b.Lại đem tinh thể nhúng vào dung dịch fluorhydric. Chỉ những nơi cần mở cửa sổ lớp SiO₂ bị hòa tan, những nơi khác nhờ lớp cản quang che chở.

c. Đem tẩy lớp cản quang

d. Khuếch tán chất bán dẫn P sâu đến thân, tạo ra các đảo N.

e. Lại mở cửa sổ, khuếch tán chất bán dẫn P vào các đảo N (khuếch tán Base)

f. Lại mở cửa sổ, khuếch tán chất bán dẫn N vào (khuếch tán Emitter)

g. Phủ kim loại. Thực hiện các chỗ nối

Thí dụ:

Một mạch điện đơn giản như sau, được chế tạo dưới dạng IC đơn tinh thể.