Mosfet loại tăng (enhancement mosfet e-mosfet)

MOSFET loại tăng cũng có hai loại: E-MOSFET kênh N và E-MOSFET kênh P.

Về mặt cấu tạo cũng giống như DE-MOSFET, chỉ khác là bình thường không có thông lộ nối liền giữa hai vùng thoát D và vùng nguồn S.

Mô hình cấu tạo và ký hiệu được diễn tả bằng hình vẽ sau đây

Khi V_GS < 0V, (ở E-MOSFET kênh N), do không có thông lộ nối liền giữa hai vùng thoát nguồn nên mặc dù có nguồn điện thế V_DD áp vào hai cực thoát và nguồn, điện tử cũng không thể di chuyển nên không có dòng thoát I_D (I_D # 0V). Lúc này, chỉ có một dòng điện rỉ rất nhỏ chạy qua.

Khi V_GS>0, một điện trường được tạo ra ở vùng cổng. Do cổng mang điện tích dương nên hút các điện tử trong nền p- (là hạt tải điện thiểu số) đến tập trung ở mặt đối diện của vùng cổng. Khi V_GS đủ lớn, lực hút mạnh, các điện tử đến tập trung nhiều và tạo thành một thông lộ tạm thời nối liền hai vùng nguồn S và thoát D. Điện thế V_GS mà từ đó dòng điện thoát I_D bắt đầu tăng được gọi là điện thế thềm cổng - nguồn (gate-to-source threshold voltage) V_GS(th). Khi V_GS tăng lớn hơn V_GS(th), dòng điện thoát I_D tiếp tục tăng nhanh.

Người ta chứng minh được rằng:

Trong đó: I_D là dòng điện thoát của E-MOSFET

K là hằng số với đơn vị AV2 size 12{ { {A} over {V rSup { size 8{2} } } } } {}

V_GS là điện thế phân cực cổng nguồn.

V_GS(th) là điện thế thềm cổng nguồn.

Hằng số K thường được tìm một cách gián tiếp từ các thông số do nhà sản xuất cung cấp.

Thí dụ: Một E-MOSFET kênh N có V_GS(th) =3,8V và dòng điện thoát I_D = 10mA khi V_GS = 8V. Tìm dòng điện thoát I_D khi V_GS = 6V.