Cơ chế hoạt động của transistor lưỡng cực

Trong ứng dụng thông thường (khuếch đại), nối phát nền phải được phân cực thuận trong lúc nối thu nền phải được phân cực nghịch.

Vì nối phát nền được phân cực thuận nên vùng hiếm hẹp lại. Nối thu nền được phân cực nghịch nên vùng hiếm rộng ra.

Nhiều điện tử từ cực âm của nguồn V_EE đi vào vùng phát và khuếch tán sang vùng nền. Như ta đã biết, vùng nền được pha tạp chất ít và rất hẹp nên số lỗ trống không nhiều, do đó lượng lỗ trống khuếch tán sang vùng phát không đáng kể.

Do vùng nền hẹp và ít lỗ trống nên chỉ có một ít điện tử khuếch tán từ vùng phát qua tái hợp với lỗ trống của vùng nền. Hầu hết các điện tử này khuếch tán thẳng qua vùng thu và bị hút về cực dương của nguồn V_CC.

Các điện tử tự do của vùng phát như vậy tạo nên dòng điện cực phát I_E chạy từ cực phát E. Các điện tử từ vùng thu chạy về cực dương của nguồn V_CC tạo ra dòng điện thu I_C chạy vào vùng thu.

Mặt khác, một số ít điện tử là hạt điện thiểu số của vùng nền chạy về cực dương của nguồn V_EE tạo nên dòng điện I_B rất nhỏ chạy vào cực nền B.

Như vậy, theo định luật Kirchoff, dòng điện I_E là tổng của các dòng điện I_C và I_B.

Ta có: IE=IC+IB size 12{I rSub { size 8{E} } =I rSub { size 8{C} } +I rSub { size 8{B} } } {}

Dòng I_B rất nhỏ (hàng microampere) nên ta có thể coi như: I_E # I_C